У германивого диода в прямом направлении падает 0.3 вольта. У кремниевого - 0.7 вольта. А сколько у диода Шоттки?
Оно сильно зависит от тока через диод. В отличие от диода с p-n переходом, который полностью закрыт при напряжении ниже определенного порогового, заметный прямой ток через переход Шоттки наблюдается уже при прямых напряжениях в десятки милливольт. Поэтому приписать переходу Шоттки какое-то определенное падение напряжения сложно. Тем более, оно сильно зависит от типа прибора, причем чем более высоковольтным является диод Шоттки, тем выше падение напряжения при том же токе.
Типовым падением напряжения на диоде Шоттки на 40 В и 3 А при токе в 1 А и комнатной температуре является 0,35..0,4 В.
Прямое падение напряжения диода Шотки обычно очень мало и составляет несколько десятых долей вольта. Это связано с тем, что прямой ток в таком диоде течет через барьер Шоттки, который представляет собой область перехода между двумя различными материалами, где отсутствуют свободные носители заряда. В результате, для прохождения прямого тока требуется лишь небольшое напряжение, чтобы преодолеть контактную разность потенциалов.
Прямое падение напряжения на диодах Шоттки зависит от многих факторов, включая температуру окружающей среды, материал полупроводника и технологию изготовления диодов. Однако, в большинстве случаев оно находится в диапазоне от 0,1 до 0,4 В при комнатной температуре.
Более точно можно узнать из справочника на конкретную марку диод
Вообще диод Шоттки хорош тем, что в нём нет инжекции в базу неосновных носителей..
Нет заряда, который должен накапливаться и рассасыватья (диффузионная ёмкость равна нулю)..
Поэтому диоды Шоттки высокочастотны - десятки ГГц и постоянные времени - доли наносекунд..
При этом ВаХ Шоки в большей мере имеет экспоненциальный характер при высоких токах, тогда как в обычных диодах ВаХ спрямляется из-за модуляции базы неосновными носителями..
Прямое напряжение около 0,5 В, примерно вдвое ниже, чем у кремниевого диода..
Кому интересно подробнее - см. Степаненко "Основы транзисторов и транзисторных схем"..